CVD PVD - Materiały narzędziowe lab PDF

Preview

Summary

Materiały narzędziowe lab...

Description

Chemiczne osadzanie z fazy gazowej CVD CVD polega na osadzaniu materiału powłokowego z fazy gazowej, na podłożu zachodzą reakcje chemiczne. Tradycyjne metody CVD wymagają stosowania wysokich temperatur koniecznych do rozkładu gazowych reagentów (rzędu 900 - 1100°C lub nawet większych) i/lub do przebiegu reakcji chemicznych umożliwiających tworzenie się warstw, co znacznie ogranicza zakres ich wykorzystania. W metodzie CVD warstwa nowego materiału tworzy się na powierzchni ogrzewanego podłoża na wskutek reakcji chemicznych zachodzących w fazie gazowej lub w fazie pary Na mechanizm składa się szereg reakcji, zachodzących w fazie gazowej jak i na granicy faz ciało stale - gaz. Reakcje te są determinowane termodynamicznie i kinetycznie. Zasadniczą role spełnia tutaj temperatura prowadzenia procesu. Oprócz tego na tworzenie się warstw i ich właściwości wpływają takie parametry procesu jak: ciśnienie i skład gazu wprowadzanego do układu, czystość reagentów, przygotowanie powierzchni materiału, itd. Jako źródła pierwiastków, z których ma powstać warstwa, stosuje się różne substraty gazowe jak i ciekle zwane prekursorami, którymi mogą być wodorki, halogenki (głównie chlorki), karbonylki a także lotne związki metaloorganiczne, krzemoorganiczne itp. Prekursory w formie gazu lub pary doprowadza się do komory reaktora najczęściej za pomocą tzw. gazów nośnych obojętnych (np. argon, hel) jak i/lub gazów nośnych które mogą brać udział w reakcjach chemicznych prowadzących do powstania warstw (np. azot, metan, wodór, amoniak , tlen ) lub mieszaniny tych gazów. Zakres temperatury CVD:    

tradycyjne metody CVD: 800 - 1000°C, nowoczesne metody CVD: 500 - 700°C, nowoczesne techniki CVD:...