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Datasheets de transistores....

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Hector Steve Juarez Lopez 201503446 Curso de Electronica 1

TRANSISTORES DATA SHEETS 2N2222 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: 2N2222 Código: 1B Material: Si Polaridad de transistor: NPN ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V Tensión colector-emisor (Vce): 30 V Tensión emisor-base (Veb): 5 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250 MHz Capacitancia de salida (Cc): 8 pF Ganancia de corriente contínua (hfe): 100 Empaquetado / Estuche: TO18

D882 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: D882 Material: Si Polaridad de transistor: NPN ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W Tensión colector-base (Vcb): 40 V Tensión colector-emisor (Vce): 30 V Tensión emisor-base (Veb): 6 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 50 MHz Ganancia de corriente contínua (hfe): 60 Empaquetado / Estuche: SOT89

AC128 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: AC128 Material: Ge Polaridad de transistor: PNP ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W Tensión colector-base (Vcb): 32 V Tensión colector-emisor (Vce): 16 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1 MHz Capacitancia de salida (Cc): 200 pF Ganancia de corriente contínua (hfe): 45 Empaquetado / Estuche: TO1

2N60C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: 2N60C Material: Ge Polaridad de transistor: PNP ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 0.18 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V Tensión emisor-base (Veb): 10 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.6 MHz Capacitancia de salida (Cc): 80 pF Ganancia de corriente contínua (hfe): 70 Empaquetado / Estuche: TO5

2N3773 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: 2N3773 Material: Si Polaridad de transistor: NPN ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W Tensión colector-base (Vcb): 160 V Tensión colector-emisor (Vce): 160 V Tensión emisor-base (Veb): 7 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.2 MHz Ganancia de corriente contínua (hfe): 15 Empaquetado / Estuche: TO4AA

2N3904 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: 2N3904 Material: Si Polaridad de transistor: NPN ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V Tensión emisor-base (Veb): 6 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 300 MHz Capacitancia de salida (Cc): 4 pF Ganancia de corriente contínua (hfe): 40 Empaquetado / Estuche: TO92

2N4401 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: 2N4401 Material: Si Polaridad de transistor: NPN ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W Tensión colector-base (Vcb): 60 V Tensión colector-emisor (Vce): 40 V Tensión emisor-base (Veb): 6 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250 MHz Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100 Empaquetado / Estuche: TO92

2N2222A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: 2N2222A Material: Si Polaridad de transistor: NPN ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W Tensión colector-base (Vcb): 75 V Tensión colector-emisor (Vce): 40 V Tensión emisor-base (Veb): 6 V Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 300 MHz Capacitancia de salida (Cc): 8 pF Ganancia de corriente contínua (hfe): 100 Empaquetado / Estuche: TO18

IRF3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF3205 Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V Corriente continua de drenaje (Id): 98 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Carga de compuerta (Qg): 146 nC Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm Empaquetado / Estuche: TO220AB

IRFZ44N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: IRFZ44N Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V Corriente continua de drenaje (Id): 41 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V Carga de compuerta (Qg): 62 nC Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.024 Ohm Empaquetado / Estuche: TO220AB

STF5N52U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: STF5N52U Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd): 25 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 525 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de drenaje (Id): 4.4 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V Carga de compuerta (Qg): 16.9 nC Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm Empaquetado / Estuche: TO220FP

IRF2807 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: IRF2807

Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V Corriente continua de drenaje (Id): 82 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Carga de compuerta (Qg): 106.7 nC Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.013 Ohm Empaquetado / Estuche: TO220AB

2N5484 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: 2N5484 Tipo de FET: JFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd): 0.35 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V Corriente continua de drenaje (Id): 0.005 A Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1 pF Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 100 Ohm Empaquetado / Estuche: TO92

2N4416 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: 2N4416 Tipo de FET: JFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd): 0.3 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V Corriente continua de drenaje (Id): 0.03 A Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 150 Ohm Empaquetado / Estuche: TO18, TO72

IRGP4086 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: IRGP4086

Polaridad de transistor: N-Channel ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 160 Tensión colector-emisor (Vce): 300 Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.1 Tensión emisor-compuerta (Veg): Corriente del colector DC máxima (Ic): 70 Temperatura operativa máxima (Tj), °C: Tiempo de elevación: Capacitancia de salida (Cc), pF: Empaquetado / Estuche: TO247

CT60AM-18F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: CT60AM-18F Polaridad de transistor: N-Channel ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 180 Tensión colector-emisor (Vce): 900 Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.1 Tensión emisor-compuerta (Veg): 30 Corriente del colector DC máxima (Ic): 60 Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150 Tiempo de elevación: 50 Capacitancia de salida (Cc), pF: 4400pF Empaquetado / Estuche: TO3PL

FGPF4633 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: FGPF4633 Polaridad de transistor: N-Channel ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): Tensión colector-emisor (Vce): 330 Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.55 Tensión emisor-compuerta (Veg): Corriente del colector DC máxima (Ic): 70 Temperatura operativa máxima (Tj), °C: Tiempo de elevación: Capacitancia de salida (Cc), pF: Empaquetado / Estuche: TO220F

RG4BC30W-S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características Número de Parte: IRG4BC30W-S Polaridad de transistor: N-Channel ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 100 Tensión colector-emisor (Vce): 600 Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.1 Tensión emisor-compuerta (Veg): Corriente del colector DC máxima (Ic): 12

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150 Tiempo de elevación: Capacitancia de salida (Cc), pF: Empaquetado / Estuche: D2PAK...