Describa el transistor Mosfet IRFZ46n características y funcionamiento PDF

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Describa el transistor MOSFET IRFZ46n características y funcionamiento I.

Descripcion El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-efecto transistor ) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.El IRFZ46 es un transistor MOSFET de N-canal HEXFET® de 55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.

II.

Características a. b. c. d. e. f. g. h. i.

III.

Polaridad del transistor: NPN Intensidad drenado continua Id: 53 A Tensión drenaje-fuente Vds.: 55 V Tensión umbral Vgs: 4 V Resistencia de activación Rds(on): 0.0165 ohm Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V Disipación de potencia Pd: 107 W Temperatura de operación máxima: 150 °C Encapsulado: TO-220

Funcionamiento El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión umbral) en el terminal llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por tensión. Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce....