Title | Mosfet Zusammenfassung |
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Author | wang siqi |
Course | Halbleiterbauelemente |
Institution | Universität Paderborn |
Pages | 2 |
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MOSFET •MOSFET : Metal-Oxid-Silizium Feldeffekttransistor •FET wurde 1926 von Julius Edgar Lilienfeld und 1934 von Oskar Heil vorgeschlagen •Die ersten MOSFET wurde alerdings erst 1960 gefertigt •Die Anschlüsse eines MOSFETs heissen : Drain, Source und Gate •Ein MOSFET besteht aus : p-typ und n-typ Halbleiter, einem Isolator (Dielektrikum), und einem Metallschicht als Gate. •Beim selbstleitenden N-MOSFET werden Drain and Source durch eine n-dotierte Leitung zwischen Drain and Source leitend verbunden (Bzw. p dotierte beim selbstsperrenden p-MOSFET)
Ein selbstsperrender N-Kanal M OSFET Ein selbstsperrender P-Kanal M OSFE
Symbole der selbsleitenden MOSFET
Wirkungsweise eines N-M OSF
UDS = UGS-UTH
Ausgangkennlinienfeld •Ein MOSFET steuert einen Ausgangstrom durch Spannung, der Eingangstrom fliesst nicht •Uth (Schwellenspannung) kennzeichnet den Punkt, an dem der Transistor beginnt zu leiten. •Uth ist technologisch einstellbar. •Beim selbstsperrenden NMOSFET muss U gs größer als Uth sein, damit der Transistor wirkt. •Beim selbstleitenden N-MOSFET leitet der Transistor auch bei Ugs = 0. •Beim sebstsperrenden PMOSFET liegt U th in negativem Bereich, und beginnt zu leiten, wenn Ugs < Uth. •Beim selbstleitenden P-MOSFET liegt Uth im positiven Bereich, und leitet schon bei U gs = 0
UDS = UGS-UTH...