Informe previo 3 - Nota: 16 PDF

Title Informe previo 3 - Nota: 16
Author ISAAC LEOPOLDO ALVA PAZ
Course Laboratorio De Electrónica
Institution Universidad Nacional de Ingeniería
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INFORME DE LABORATORIO DEELECTRÓNICA I – EE 428UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍAFACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA2021-INFORME PREVIO N° 3####### TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERISTICASDocente: Ing. Virginia Romero FuentesI. RESPUESTAS A PREGUNTASa. Realizar los cálculos teóricos para...


Description

INFORME DE LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I – EE 428

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

2021-1

INFORME PREVIO N° 3

TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERISTICAS Docente: Ing. Virginia Romero Fuentes

I.

RESPUESTAS A PREGUNTAS

a. Realizar los cálculos teóricos para completar la tabla b. Con estos datos, hacer las gráficas solicitadas.

II.

EQUIPOS Y MATERIALES Una computadora Software de simulación 02 condensadores electrolíticos de 47μF 01 multímetro 01 resistor de 180KΩ, 56KΩ, 22KΩ, 15KΩ,3.3KΩ 02 Fuentes de Alimentación 02 resistor de 1KΩ, 4.7 KΩ, 10 KΩ, 100 Ω Un transistor 2N2222 o 2N3904 01 potenciómetro lineal de 50KΩ, 500 KΩ 02 diodos LED

III.

DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA Armar el circuito de la fig.1, tenga cuidado de colocar correctamente los terminales del transistor, utilice el software Multisim, Proteus u otro de su preferencia

1. Polarizar el dispositivo y midiendo Vc y Vb obtener la siguiente tabla:

V 3 (V ) 0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

V C (V )

12

11.9

11.5

11.1

10.8

10.5

10.3

10.1

9.92

9.76

9.64

9.54

9.45

9.39

9.34

9.30

9.26

V B(V )

0

0.63

1.1

1.59

2.08

2.58

3.08

3.59

4.09

4.60

5.10

5.61

6.12

6.62

7.13

7.63

8.14

I C (mA

0

0.22

0.92

1.61

2.25

2.86

3.42

3.95

4.45

4.92

5.37

5.81

6.13

6.33

6.49

6.62

6.73

I B (μ A

0

0.73

3.2

5.81

8.47

11.1

13.8

16.5

19.2

21.9

24.6

27.4

30.1

32.8

35.5

38.1

40.8

301

287

277

265

257

247

239

231

224

218

212

203

193

182

173

165

Beta

2.

Tabla 1 A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida Vc vs V3. Si es necesario, tomar medidas de puntos intermedios.

14

VC

12 10 8 6 4 2

V3

0 0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

3. Graficar la curva de transferencia de corrientes (Ic vs Ib) y la beta de las mismas (BETA vs Ic). 45

Ib 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0

1

2

3

4

5

6

7

Ic

8

350

β

300 250 200 150 100 50 0 0

1

2

3

4

5

6

7

8

Ic

4. Armar el circuito de la figura 2

5. Medir las tensiones CV, EV y BV para trazar la recta de carga del circuito, variando R6.

R6

56K

47K

22K

15K

3.3K

V B(V )

5.62

5.28

3.58

2.78

0.784

V C (V )

7.08

7.41

9.07

9.85

11.8

V B(V )

4.96

4.62

2.94

2.16

0.222

I C (mA)

4.92

4.59

2.93

2.15

0.221

I B (mA)

0.0355

0.0307

0.0153

0.0106

0.00139

Activa

Activa

Activa

Activa

Activa

Zona Tabla 2

6. Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano Ic vs Vce del transistor. Indicar la zona de operación correspondiente.

I C (mA)

V C (V )

Zona

RC=0

5.23

12

RC =1 K

4.92

7.08

Activa

RC=3.3 K

2.75

2.86

Saturacion

Tabla 3

7. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de operación. Adjuntar fotocopias de los manuales con los datos de los transistores utilizados.

8. Usar el circuito de la figura 1, conectar los diodos LED en serie con las resistencias R1 y R2, colocar en V3 una fuente DC y reemplazar R1 por un potenciómetro. 9. Para determinar la región activa varíe el voltaje de entrada V3 y realice las mediciones necesarias, de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje (V(min) < V3 < V(máx.)) que mantiene al transistor operando en la región activa.

2.1V < V3 < 17.1V 10. Para determinar cuando el transistor está en corte o está en saturación, aumentar de 1v en 1v el V(max) DC de V3; hasta encontrar un cambio en V0. Luego repetir el procedimiento disminuyendo V(min) de V3 desde el último valor de v, hasta cero. En la simulación determinar la resistencia R1 que facilite el corte y saturación de manera más rápida y usar ese valor en la práctica de laboratorio. 11. Tomar datos y completar la siguiente tabla. ZONA DE CORTE

V BE ( corte ) < ¿ 546m

ZONA ACTIVA

ZONA DE SATURACIÓN

558 mV...


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