Title | Informe previo 3 - Nota: 16 |
---|---|
Author | ISAAC LEOPOLDO ALVA PAZ |
Course | Laboratorio De Electrónica |
Institution | Universidad Nacional de Ingeniería |
Pages | 10 |
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INFORME DE LABORATORIO DEELECTRÓNICA I – EE 428UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍAFACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA2021-INFORME PREVIO N° 3####### TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERISTICASDocente: Ing. Virginia Romero FuentesI. RESPUESTAS A PREGUNTASa. Realizar los cálculos teóricos para...
INFORME DE LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I – EE 428
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
2021-1
INFORME PREVIO N° 3
TRANSISTOR BIPOLAR CURVAS CARACTERISTICAS Docente: Ing. Virginia Romero Fuentes
I.
RESPUESTAS A PREGUNTAS
a. Realizar los cálculos teóricos para completar la tabla b. Con estos datos, hacer las gráficas solicitadas.
II.
EQUIPOS Y MATERIALES Una computadora Software de simulación 02 condensadores electrolíticos de 47μF 01 multímetro 01 resistor de 180KΩ, 56KΩ, 22KΩ, 15KΩ,3.3KΩ 02 Fuentes de Alimentación 02 resistor de 1KΩ, 4.7 KΩ, 10 KΩ, 100 Ω Un transistor 2N2222 o 2N3904 01 potenciómetro lineal de 50KΩ, 500 KΩ 02 diodos LED
III.
DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA Armar el circuito de la fig.1, tenga cuidado de colocar correctamente los terminales del transistor, utilice el software Multisim, Proteus u otro de su preferencia
1. Polarizar el dispositivo y midiendo Vc y Vb obtener la siguiente tabla:
V 3 (V ) 0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V C (V )
12
11.9
11.5
11.1
10.8
10.5
10.3
10.1
9.92
9.76
9.64
9.54
9.45
9.39
9.34
9.30
9.26
V B(V )
0
0.63
1.1
1.59
2.08
2.58
3.08
3.59
4.09
4.60
5.10
5.61
6.12
6.62
7.13
7.63
8.14
I C (mA
0
0.22
0.92
1.61
2.25
2.86
3.42
3.95
4.45
4.92
5.37
5.81
6.13
6.33
6.49
6.62
6.73
I B (μ A
0
0.73
3.2
5.81
8.47
11.1
13.8
16.5
19.2
21.9
24.6
27.4
30.1
32.8
35.5
38.1
40.8
301
287
277
265
257
247
239
231
224
218
212
203
193
182
173
165
Beta
2.
Tabla 1 A partir de esta tabla graficar la curva de transferencia de entrada a salida Vc vs V3. Si es necesario, tomar medidas de puntos intermedios.
14
VC
12 10 8 6 4 2
V3
0 0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
3. Graficar la curva de transferencia de corrientes (Ic vs Ib) y la beta de las mismas (BETA vs Ic). 45
Ib 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0
1
2
3
4
5
6
7
Ic
8
350
β
300 250 200 150 100 50 0 0
1
2
3
4
5
6
7
8
Ic
4. Armar el circuito de la figura 2
5. Medir las tensiones CV, EV y BV para trazar la recta de carga del circuito, variando R6.
R6
56K
47K
22K
15K
3.3K
V B(V )
5.62
5.28
3.58
2.78
0.784
V C (V )
7.08
7.41
9.07
9.85
11.8
V B(V )
4.96
4.62
2.94
2.16
0.222
I C (mA)
4.92
4.59
2.93
2.15
0.221
I B (mA)
0.0355
0.0307
0.0153
0.0106
0.00139
Activa
Activa
Activa
Activa
Activa
Zona Tabla 2
6. Determinar las corrientes y graficar la recta de carga en el plano Ic vs Vce del transistor. Indicar la zona de operación correspondiente.
I C (mA)
V C (V )
Zona
RC=0
5.23
12
RC =1 K
4.92
7.08
Activa
RC=3.3 K
2.75
2.86
Saturacion
Tabla 3
7. Graficar en un mismo plano las diferentes rectas de carga, a colores, indicando las zonas de operación. Adjuntar fotocopias de los manuales con los datos de los transistores utilizados.
8. Usar el circuito de la figura 1, conectar los diodos LED en serie con las resistencias R1 y R2, colocar en V3 una fuente DC y reemplazar R1 por un potenciómetro. 9. Para determinar la región activa varíe el voltaje de entrada V3 y realice las mediciones necesarias, de tal forma que pueda determinar el intervalo de voltaje (V(min) < V3 < V(máx.)) que mantiene al transistor operando en la región activa.
2.1V < V3 < 17.1V 10. Para determinar cuando el transistor está en corte o está en saturación, aumentar de 1v en 1v el V(max) DC de V3; hasta encontrar un cambio en V0. Luego repetir el procedimiento disminuyendo V(min) de V3 desde el último valor de v, hasta cero. En la simulación determinar la resistencia R1 que facilite el corte y saturación de manera más rápida y usar ese valor en la práctica de laboratorio. 11. Tomar datos y completar la siguiente tabla. ZONA DE CORTE
V BE ( corte ) < ¿ 546m
ZONA ACTIVA
ZONA DE SATURACIÓN
558 mV...