SCR EN AC Simulacion EN Proteus PDF

Title SCR EN AC Simulacion EN Proteus
Course Electrónica de Potencia
Institution Universidad Privada del Valle
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SIMULACION EN PROTEUS DE SCR EN AC...


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UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA INGENIERÍA BIOMÉDICA Evaluación UNIVALLE - LA PAZ

ELECTRÓNICA DE POTENCIA SCR EN CA

Grupo “A” Estudiante: Ajhuacho Inca David

Docente: Ing. Jaime Peña

Gestión I – 2020

OBJETIVOS *

Comprender el funcionamiento de un SCR.

*

Definir los parámetros básicos para un SCR en lo referente a corrientes

y voltajes. *

Comprobar las características de conmutación de estos dispositivos.

FUNDAMENTO TEÓRICO El SCR (Rectificador controlado de silicio / Silicon Controled Rectifier) es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal. Su símbolo y estructura se muestran en la figura. El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente para comprender su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. SCR – Símbolo y Estructura

A = ánodo, G = compuerta o Gate y C = K = cátodo IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y …… este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Los parámetros son:



VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)



VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)



IF: Máxima corriente directa permitida.



PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.



VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado



IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR



dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.



di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

Curva característica del SCR En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutación y la corriente de compuerta. Cuando está polarizado en inversa se comporta como un diodo común (ver la corriente de fuga característica que se muestra en el gráfico). En la región de polarización en directo, se comporta también como un diodo común, siempre que ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de ánodo a cátodo es menor (VC).

DESARROLLO DEL LABORATORIO PARTE 1 SIMULACION EN PROTEUS

PARTE 2...


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