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1.12

HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS

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Normalmente, el fabricante proporciona datos sobre dispositivos semiconductores específicos en una de dos formas. Con más frecuencia, dan una descripción muy breve, tal vez limitada a una página. En otras ocasiones proporcionan un examen completo de las características mediante gráficas, material gráfico, tablas, etc. En uno u otro caso, son piezas con datos específicos que se deben incluir para el uso apropiado del dispositivo. Incluyen: 1. 2. 3. 4.

El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas) La corriente máxima en directa IF (a una temperatura especificada) La corriente de saturación en inversa IR (a un voltaje y temperatura especificados) El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR proviene del término “breakdown” (ruptura) (a una temperatura especificada)]

DIODO PLANO DE SILICIO DIFUSO

A

• BV . . . 125 V (MIN) @ 100 mA (BAY73)

ESQUEMA DEL DO35

CANTIDADES NOMINALES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Nota 1) Temperaturas Intervalo de temperatura de almacenamiento Temperatura máxima de operación en la unión Temperatura en las terminales de conexión

B

MÍN

–65°C a +200°C +175°C +260°C

Disipación de potencia (Nota 2) Disipación de potencia nominal máxima total a 25°C de temperatura ambiente Factor de reducción de potencia lineal (a partir de 25°C)

C

Voltajes y corrientes nominales máximos WIV Voltaje en inversa de trabajo IO IF if

D

500 mW 3.33 mW/°C

BAY73

100 V 200 mA 500 mA 600 mA

Corriente rectificada promedio Corriente en directa continua Corriente directa repetitiva pico

if sobrecorriente Sobrecorriente directa pico Ancho de pulso  1 s Ancho de pulso  1 s

1.0 A 4.0 A

DIÁ DIÁ

NOTAS Cables de acero cobrizados, estañados Cables dorados disponibles Cápsula de vidrio herméticamente sellada El peso de la cápsula es de 0.14 gramos

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Temperatura ambiente de 25°C a menos que se indique lo contrario) BAY73 SÍMBOLO CARACTERÍSTICA UNIDADES CONDICIONES DE PRUEBA MÍN MÁX E

VF

Voltaje en directa

F

IR

Corriente en inversa

BV C trr

Voltaje de ruptura

G H

Capacitancia Tiempo de recuperación en inversa

0.85 0.81 0.78 0.69 0.67 0.60

1.00 0.94 0.88 0.80 0.75 0.68

V V V V V V

IF  200 mA IF  100 mA IF  10 mA IF  10 mA IF  10 mA IF  10 mA

500 1.0 0.2 0.5

nA A nA nA

VR  20 V, TA  125°C VR  100V, TA  125°C VR  20 V, TA  25°C VR  100 V, TA  25°C

5.0

V pF

IR  100 A VR  0, f  1.0 MHz

3.0

s

IF  10 mA, VR  35 V RL  1.0 a 100 k CL  10 pF, JAN 256

125

NOTAS: 1 Estas capacidades son valores límite sobre los cuales la funcionalidad del diodo puede verse afectada. 2 Éstos son límites de estado constante. Se deberá consultar al fabricante sobre aplicaciones que impliquen pulsos u operación de trabajo ligero.

FIG. 1.36 Características eléctricas de un diodo de fugas escasas y alto voltaje....