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Anotações sobre Mosfets...

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circular. Valores típicos de VGS(th) para dispositivos de baixo sinal são entre 1V e 3V. O JFET é tratado como um dispositivo no modo de depleção porque sua condutividade depende da ação das camadas de depleção. O MOSFET-E é classificado como um dispositivo no modo de crescimento porque uma tensão na porta acima da tensão de limiar faz crescer sua condutividade. O MOSFET-E é ideal para ser usado como um dispositivo de chaveamento. Essa ação ligadesliga é a base de funcionamento dos computadores.

Curvas de dreno e transcondutância Um MOSFET-E para pequeno sinal tem uma potência nominal de 1 W ou menos. A Figura 9a mostra uma família de curvas do dreno para um MOSFET-

E de pequeno sinal típico. A curva mais baixa é a curva de VGS(th). Quando VGS for menor que VGS(th), entra em condução e a corrente no dreno é controlada pela tensão na porta. A parte quase vertical do gráfico é a região ôhmica e as partes quase horizontais são a região ativa. Quando polarizado na região ôhmica, o MOSFET-E é equivalente a um resistor. Quando polarizado na região ativa, ele é equivalente a uma fonte de corrente. Embora o MOSFET-E possa ser operado na região ativa, o principal uso é na região ôhmica. A Figura 9b mostra uma curva de transcondutância típica. Não há corrente no dreno enquanto VGS não for igual à VGS(th). A corrente no dreno então aumenta rapidamente até atingir a corrente de saturação ID(saturação). Além desse ponto, o dispositivo fica polarizado na região ôhmica. Portanto, ID não pode aumentar, mesmo que haja aumento em VGS. Para garantir a saturação forte, é usada uma tensão na porta de VGS(lig) bem acima de VGS(th), como mostra a Figura 9b.

Símbolo Quando VGS = 0, o MOSFET-E está em corte porque não há um canal de condução entre a fonte e o dreno. O símbolo esquemático na Figura 10a tem uma linha tracejada para o canal que indica a condição de normalmente em corte. Como você sabe, a tensão na porta maior que a tensão de limiar cria uma camada de inversão do tipo n que conecta a fonte ao dreno. A seta aponta para a camada de inversão, que age como um canal n quando o dispositivo está conduzindo. Existe também um MOSFET-E canal p. O símbolo esquemático é similar, com a diferença de que a seta aponta para fora, como mostra a Figura 10b. O MOSFET-E canal p também é um dispositivo no modo de crescimento normalmente em corte. Para ligar um MOSFET-E canal p, a porta tem que ser negativa em relação à fonte. O valor -VGS tem que alcançar, ou exceder, o valor –VGS(th) para o MOSFET entrar em condução. Quando isso ocorre, uma camada de inversão tipo p é formada com as lacunas sendo os portadores majoritários. O MOSFET-E canal n usa elétrons como os portadores majoritários que têm maior mobilidade que as lacunas no canal p. Isso resulta em RDS(lig) menor e velocidades de comutação maiores para o MOSFET-E canal n.

Tensão porta-fonte máxima...