Act. 18 Cuestionario capitulo 28 y 29 PDF

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respuestas cuestionarios del libro (Manufactura, ingeniería y tecnología)...

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Unidad Académica Hermosillo Diaz Sixto Juan

Ingeniería en Mecatrónica

Manufactura G01 28/noviembre/20

Act. 18: Cuestionario Capítulo 28 y 29 28.2 ¿Por qué el silicio es el semiconductor más utilizado en la tecnología de IC? 18 NOVIEMBRE, 2016 El silicio es un semiconductor, una clase de materiales cuyas propiedades eléctricas difieren de las de los metales y de los aislantes. Una singularidad, entre otras, de los semiconductores es que sus propiedades pueden modificarse drásticamente incorporando átomos de otros elementos químicos en proporciones muy reducidas. El lector interesado en conocer más detalles de las propiedades de estos materiales puede consultar este artículo. Con silicio se fabrican los circuitos integrados que hacen funcionar los equipos electrónicos que están presentes en nuestra vida cotidiana vinculados a las tecnologías de la Información y las Comunicaciones: los ordenadores, los teléfonos móviles, Internet. También son de silicio más del 90% de las células solares que hay instalados en los paneles y huertos solares que crecen sin cesar en todo el mundo y que ya constituyen una nueva y verdadera revolución verde en el campo energético 28.3 ¿Qué significan VLSI, IC, CVD, CMP y DIP? La integración a escala muy grande o VLSI (sigla en inglés de very large-scale integration) es el proceso de crear un circuito integrado compuesto por millones de transistores en un único chip. El sucesor natural del LSI fue VLSI (varias decenas de miles de compuertas en un solo chip). Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado plástico o de cerámica.1 El encapsulado posee conductores metálicos apropiados para hacer conexión entre el circuito integrado y un circuito impreso. La Deposición Química de Vapor o CVD (de sus siglas en inglés Chemical Vapor Deposition) es un proceso químico utilizado para producir productos de alta pureza y de alto rendimiento de materiales sólidos. El proceso se utiliza a menudo en la industria de semiconductores para producir películas delgadas. En un proceso CVD estándar el sustrato (oblea) se expone a uno o más precursores volátiles, que reaccionan o se descomponen en la superficie del sustrato para producir el depósito deseado. Con frecuencia, también se producen subproductos volátiles, que son eliminados por medio de un flujo de gas que pasa a través de la cámara de reacción.

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Un ejemplo de ello son las Plataformas de Gestión de Consentimiento, o CMP (Consent Management Platform), con las que los editores podrán pedir, recibir y almacenar el consentimiento de los usuarios. Un empaquetado/paquete de doble hilera o dual in-line package (DIP o DIL) es una forma de encapsulamiento, común en la construcción de circuitos integrados que consiste en un bloque con dos hileras paralelas de pines; la cantidad de estos depende de cada circuito. 28.4 ¿En qué se diferencian los dopantes tipo n y tipo p? En un semiconductor de tipo p, el elemento del grupo III de la tabla periódica se agrega como elemento de dopaje, mientras que en el tipo n el elemento del grupo V es el elemento de dopaje. 28.6 Explique las diferencias entre oxidación en seco y en húmedo. La oxidación húmeda se realiza a través de vapor agua a una temperatura de 900 °C a 1000 °C. El crecimiento es más rápido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidación. Se suele utilizar para la creación de Óxido de Campo (FOX). La oxidación seca se realiza con oxígeno puro a una temperatura de 1200 °C. Es un proceso más lento pero por el contrario produce menos defectos y ofrece un mayor control sobre el proceso. El óxido producido con la oxidación seca es de mayor calidad y se suele destinar para el óxido de puerta (THINOX). 29.15 ¿Cuál es la diferencia entre ataque (grabado) isotrópico y anisotrópico? El grabado isotrópico es una forma de grabado que se lleva a cabo en todas las direcciones. Los lados del globo de grabado crean una forma cóncava debajo de la máscara fotosensible de grabado en lugar del grabado con plasma perpendicular que se obtiene mediante grabado anisotrópico. A diferencia del grabado anisotrópico, empleado en gran cantidad de aplicaciones como la producción de tarjetas de circuitos impresos, el grabado isotrópico no tiene muchas aplicaciones ni ventajas. Sin embargo, el grabado isotrópico se emplea comúnmente para eliminar material de superficies grandes, así como para limpiar circuitos antes de procesos de electrodeposición. 29.17 ¿Cuál es la diferencia entre un ataque (grabado) químico con iones reactivos y un ataque de plasma en seco? El grabado con iones reactivos ( RIE ) es una tecnología de grabado utilizada en la microfabricación . RIE es un tipo de grabado en seco que tiene características diferentes al grabado en húmedo . RIE utiliza plasma químicamente reactivo para

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eliminar el material depositado en las obleas . El plasma se genera a baja presión ( vacío ) mediante un campo electromagnético Grabado de iones reactivos 29.21 Liste las ventajas y desventajas del micro maquinado de superficies en comparación con el micro maquinado Para materiales difíciles de maquinar como moldes o acero, limitaciones en la herramienta de cortado en su esbeltez y resistencia son los mayores impedimentos para el uso de los métodos de micro maquinado mecánico. 29.22 ¿Cuáles son las principales limitaciones del proceso LIGA?

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La litografía de rayos X: a partir de una primera máscara realizada con la ayuda de un cañón de electrones, el patrón en dos dimensiones de las microestructuras es duplicado por litografía de rayos X sobre una capa de polímero fotosensible. La galvanización por electro deposición: el metal es depositado sobre las microestructuras reveladas precedentemente, sobre todo el espesor de la capa de polímero remanente. El conformado: después de la disolución del polímero remanente alrededor del cual se ha desarrollado la galvanización, el bloque de metal es preparado para servir de herramienta de formación. Se pueden entonces fabricar en serie micro estructuras en polímero por formación (en matrices, estampado o moldeado por inyección)....