Homework #2 Prova 4 PDF

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Homework con valutazione per voto finale...

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HOMEWORK #2

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Fondamenti di elettronica

Iniziato Stato Terminato Tempo impiegato Valutazione Domanda 1 Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

HOMEWORK

HOMEWORK #2

lunedì, 27 novembre 2017, 11:06 Completato lunedì, 27 novembre 2017, 11:34 28 min. 39 secondi 30,0 su un massimo di 30,0 (100%)

Applicando una tensione superiore alla tensione di soglia al gate di un condensatore MOS su semiconduttore di tipo p si induce all'interfaccia tra semiconduttore e dielettrico di gate Scegli un'alternativa: a. uno strato di accumulazione di lacune. b. uno strato di inversione di elettroni senza regione di svuotamento. c. una regione di svuotamento con cariche fisse negative senza strato invertito. d. uno strato di inversione di elettroni insieme a una regione di svuotamento con cariche fisse negative.

La risposta corretta è: uno strato di inversione di elettroni insieme a una regione di svuotamento con cariche fisse negative.

Domanda 2

All'aumentare del drogaggio di base in un BJT in regione attiva diretta

Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

Scegli una o più alternative: a. diminuisce il guadagno di corrente a emettitore comune. b. aumenta il guadagno di corrente a emettitore comune. c. diminuisce la corrente di collettore. d. aumenta la corrente di base.

Le risposte corrette sono: diminuisce la corrente di collettore., diminuisce il guadagno di corrente a emettitore comune.

HOMEWORK #2 Domanda 3

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La corrente di base in un BJT npn in regione attiva diretta

Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

Scegli una o più alternative: a. è dovuta alla somma di due contributi uno associato alla iniezione di lacune nell'emettitore e l'altro alla iniezione di lacune nel collettore. b. è dovuta a lacune entranti dal contatto di base. c. è dovuta alla somma di due contributi uno associato alla iniezione di lacune nell'emettitore e l'altro alla ricombinazione di coppie elettrone-lacuna nella regione di base. d. è dovuta a elettroni uscenti dal contatto di base.

Le risposte corrette sono: è dovuta alla somma di due contributi uno associato alla iniezione di lacune nell'emettitore e l'altro alla ricombinazione di coppie elettronelacuna nella regione di base., è dovuta a lacune entranti dal contatto di base.

HOMEWORK #2 Domanda 4 Risposta corretta Punteggio ottenuto 5,0 su 5,0

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Nell'amplificatore a emettitore comune in figura: VCC =5 V, R1 =13,6 kΩ, R2 =30,8 kΩ, RC =2 kΩ, RE =1 kΩ, RS =50 Ω, RL =100 kΩ. Il BJT è caratterizzato dai seguenti parametri: VBE=0.7 V, βF =100, VA =0. Calcolare il valore di riposo della corrente di collettore del MOSFET e selezionare la risposta numerica corretta.

Scegli un'alternativa: a. Ic=0,38 mA b. Ic=1,4 mA c. Ic=0,75 mA d. Ic=8,8 mA

La risposta corretta è: Ic=0,75 mA

HOMEWORK #2 Domanda 5 Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

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Nel funzionamento del MOSFET come amplificatore per piccoli segnali è necessario polarizzare il MOSFET Scegli un'alternativa: a. nella regione lineare. b. nella regione di saturazione. c. nella regione ohmica. d. alla massima corrente possibile sulla retta di carico ovvero nella regione di transizione tra regione ohmica e regione di saturazione.

La risposta corretta è: nella regione di saturazione.

Domanda 6 Risposta corretta Punteggio ottenuto 5,0 su 5,0

Nell'amplificatore a source comune in figura: VDD=6 V, RD =1,1 kΩ. Il MOSFET è 2 caratterizzato dai seguenti parametri: (W/L)μn Cox =20 mA/V , λ=0. Il valore di riposo della corrente di collettore è ID=1,3 mA. Calcolare il guadagno di tensione a vuoto (ovvero considerando R L=∞) e selezionare la risposta numerica corretta.

Scegli un'alternativa: a. Av=-7,9 b. Av=7,9 c. Av=-5,6 d. Av=-250,8

La risposta corretta è: Av=-7,9

HOMEWORK #2 Domanda 7

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In un MOSFET con L corto la corrente di drain satura

Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

Scegli un'alternativa: a. quando VGS è maggiore o uguale alla differenza tra VDS e la tensione di soglia. b. a causa della saturazione della velocità dei portatori di carica. c. quando VDS è maggiore o uguale alla differenza tra V GS e la tensione di soglia. d. a causa degli urti tra portatori di carica nel canale e gli atomi del reticolo del semiconduttore.

La risposta corretta è: a causa della saturazione della velocità dei portatori di carica.

Domanda 8 Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

A un MOSFET a canale n con canale "lungo" e tensione di soglia VT =0.5 V sono applicate le seguenti tensioni: V GS=0 V e VDS= 5 V. Scegli un'alternativa: a. Il MOSFET opera nella regione triodo (o resistiva). b. Non si può determinare in quale regione di funzionamento opera il MOSFET. c. Il MOSFET opera nella regione di sotto-soglia. d. Il MOSFET opera nella regione di saturazione.

La risposta corretta è: Il MOSFET opera nella regione di sotto-soglia.

HOMEWORK #2 Domanda 9 Risposta corretta Punteggio ottenuto 5,0 su 5,0

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Nell'amplificatore a emettitore comune in figura: VCC =5 V, RC =2,0 kΩ, R1 =15 kΩ, R2 =30 kΩ. Il BJT è caratterizzato dai seguenti parametri: βF =100, VA =0. Il valore di riposo della corrente di collettore è IC=1,2 mA. Calcolare il guadagno di tensione (A v) a vuoto (ovvero considerando R L=∞) e la resistenza di ingresso (Rin) e selezionare la risposta corretta.

Scegli un'alternativa: a. Av=-24,00; Rin=10 kOhm b. Av=-96,00; Rin=2,08 kOhm c. Av=-96,00; Rin=1,72 kOhm d. Av=96,00; Rin=1,72 kOhm

La risposta corretta è: Av=-96,00; Rin=1,72 kOhm

HOMEWORK #2 Domanda 10 Risposta corretta Punteggio ottenuto 5,0 su 5,0

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Nell'amplificatore a source comune in figura: VDD=6 V, R1 =22,7 kΩ, R2 =74,7 kΩ, RD =0,9 kΩ, RS =50 Ω, RL =100 kΩ. Il MOSFET è caratterizzato dai seguenti 2 parametri: VTN=1 V, (W/L)μn Cox =20 mA/V , λ=0. Calcolare il punto di riposo (I_D, V_DS) del MOSFET e selezionare la risposta numerica corretta.

Scegli un'alternativa: a. I_D=0,0040 A, V_DS=2,4 V b. I_D=0,0068 A, V_DS=-0,10 V c. I_D=0,0032 A, V_DS=3,1 V d. I_D=0,0016 A, V_DS=4,6 V

La risposta corretta è: I_D=0,0016 A, V_DS=4,6 V

Domanda 11 Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

In un MOSFET in cui materiale e spessore del dielettrico di gate sono SiO2 e 5,2 nm rispettivamente la capacità del dielettrico di gate per unità di area (Cox) vale Scegli un'alternativa: a. 6,6e-14 F/cm2 b. 7,5e6 F/cm2 c. 1,7e-7 F/cm2 d. 6,6e-7 F/cm2

La risposta corretta è: 6,6e-7 F/cm2

HOMEWORK #2 Domanda 12

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La corrente di collettore in un BJT npn in regione attiva diretta

Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

Scegli una o più alternative: a. è principalmente associata alla deriva degli elettroni tra emettitore e collettore sotto l'influenza del campo elettrico. b. è principalmente associata alla diffusione degli elettroni attraverso la regione quasi neutra di base. c. è principalmente associata al flusso di elettroni iniettati dall'emettitore nella base e raccolti dal collettore. d. è principalmente dovuta alla generazione termica di elettroni nella regione di carica spaziale della giunzione base-collettore polarizzata in inversa.

Le risposte corrette sono: è principalmente associata al flusso di elettroni iniettati dall'emettitore nella base e raccolti dal collettore., è principalmente associata alla diffusione degli elettroni attraverso la regione quasi neutra di base.

Domanda 13

In un BJT la tensione di Early

Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

Scegli una o più alternative: a. diminuisce all'aumentare dello spessore della base. b. diminuisce al diminuire dello spessore della base. c. aumenta al diminure del drogaggio di base. d. aumenta all'aumentare del drogaggio di base.

Le risposte corrette sono: aumenta all'aumentare del drogaggio di base., diminuisce al diminuire dello spessore della base.

HOMEWORK #2 Domanda 14 Risposta corretta Punteggio ottenuto 1,0 su 1,0

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Applicando una tensione negativa al gate di un condensatore MOS su semiconduttore di tipo p si induce all'interfaccia tra semiconduttore e dielettrico di gate Scegli un'alternativa: a. uno strato di accumulazione di lacune insieme a una regione di svuotamento con cariche fisse positive. b. uno strato di inversione di elettroni insieme a una regione di svuotamento con cariche fisse positive. c. una regione di svuotamento con cariche fisse positive. d. uno strato di accumulazione di lacune.

La risposta corretta è: uno strato di accumulazione di lacune....