Title | Uni Studium Elektrotechnik 1. Semester - Formelsammlung Schaltungstechnik 1 |
---|---|
Author | Alberto Baez |
Course | Schaltungstheorie |
Institution | Technische Universität München |
Pages | 10 |
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Formelsammlung zur Schaltungstheorie Klausur.
...
Schaltungstechnik 1
Schaltungstechnik 1 Kirchhoff-Gesetze Anwendbarkeit Konzentriertheitshypothese muss erf¨ullt sein: d 0 i = 0 f¨ ur u < 0
Kennlinienbestimmung von verschalteten Bauteilen Norator
Parallel
i
Die Spannung ist an jedem Bauteil gleich. Die Str¨ome werden nach der Knotenregel addiert. Grafisch: Kennlinien entlang der i-Achse addieren. Leerlauf Seriell
i
Der Strom ist in jedem Bauteil gleich. Die Spannungen werden nach der Maschenregel addiert. Grafisch: Kennlinien entlang der u-Achse addieren.
Kurzschluss
i
Arbeitspunktbestimmung Quelleneintor Quelleneintor gespiegelt an der u-Achse Lasteintor
Q: Qx : F: i
Ohmscher Widerstand
i
F x
Q
Q AP
Rechnerisch: iQ = −iF
iAP
uAP
u
Ideale Stromquelle
Graphisch: AP = F ∩ Qx
i
Linearisierung im Arbeitspunkt Ideale Spannungsquelle
z.B. Leitwertsbeschreibung: ∂iF ∆iF = ∂u · ∆uF F
i
AP
(iF = IAP + ∆iF ; uF = UAP + ∆uF ) ∂iF · (uF − UAP ) + IAP iF,l in = ∂u F AP ∂iF ∂iF · UAP + IAP ·u − iF,l in = F ∂uF AP ∂uF AP | {z } | {z } g
I0,AP
Ideale Diode
i
Reale Diode
i
Ersatzschaltbilder
u
u = UT · ln( Ii + 1) S u
i = IS (e UT − 1)
Zuerst alle Bauteile im Arbeitspunkt linearisieren. Photodiode Großsignal
i
u(t) = UT · ln( u
Alle Wechselquellen weglassen. Keine Garantie auf Vollst¨ andigkeit und Richtigkeit!
i(t) = IS (e
u(t) UT
i(t)+iL (t) IS
+ 1)
− 1) − iL (t) 2
Schaltungstechnik 1
Erstelldatum: 29. April 2018
http://www.ei-studium.de
Zenerdiode
Explizit
i u
leitet bei u < UZ
Tunneldiode
i u
Konkaver Widerstand i u
i = 0 f¨ ur u ≤ U0 i = G · (u − U0 ) f¨ ur u ≥ U0
u1 g11 u1 + g12 u2 i1 =G· = i2 u2 g21 u1 + g22 u2
Leitwertsbeschr.
i r i + r12 i2 u1 = R · 1 = 11 1 u2 i2 r21 i1 + r22 i2
Widerstandsbeschr.
u1 i h i + h12 u2 = H · 1 = 11 1 i2 u2 h21 i1 + h22 u2
hybride Beschr.
′ u + h′ i1 u1 h11 1 12 i2 = H’ · = ′ u2 i2 h21 u1 + h′22 i2
inverse hybride Beschr.
u1 u a u − a12 i2 = A · 2 = 11 2 i1 −i2 a21 u2 − a22 i2
Kettenbeschr.
′ u − a′ u2 u1 a11 1 12 i1 = A’ · = ′ a21 u1 − a′22 i1 i2 −i1
inverse Kettenbeschr.
Parametrisiert
(1) U u u = · c = (1) i I i | {z } U Bild I
Konvexer Widerstand
i
i
u
u
F = Bild
R I0
mit
u = 0 f¨ ur i ≤ I0 u = R · (i − I0 ) f¨ur i ≥ I0
1 V
u(2) ·c i(2)
u U + 0 I i0
quellenfrei
nicht quellenfrei
u, A1 i, c ∈ Rn×1 und
1 V
U, A1 I ∈ Rn×n
Eigenschaften F ist...
Lineare Quellen i
i
- passiv
wenn... u ∀ ∈ F : P = uT · i ≥ 0 i
- aktiv
∃
u ∈ F : P = uT · i < 0 i
- verlustlos
∀
u ∈ F : uT · i = 0 i
i
I0
R u0
u
=
G
u
U0 = I0 · R; I0 = U0 · G
u
UT I + IT U = 0 R = −RT ; G = −GT
Resistive Zweitore
- umkehrbar
G = P · G· P; R = P · R · P; A = A’ 0 1 P= Zeilentausch + Spaltentausch“ 1 0 ”
- reziprok
UT I − IT U = 0; G = GT ; R = RT det(A) = det(A’) = 1 Netzwerk besteht nur aus R, C und L
Darstellungsformen Implizit
N · {z h Kern M
M |
u =0 i } i N
F = Kern M
quellenfrei Dualit¨at
u N + 0 i0
nicht quellenfrei
Keine Garantie auf Vollst¨ andigkeit und Richtigkeit!
d 0 Rd I U = 1 = 1 1 U I Rd Rd Gd =
1 R d 2 R;
Rd 1 U · 0 I
Rd = Rd 2 G 3
Schaltungstechnik 1
Erstelldatum: 29. April 2018
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Aufstellen der Matrix
Parallelschaltung
Bei quellenbehafteten Zweitoren:
G1 Gges = G1 + G2
z.B. i = G · u + I0
G2
1 ) Setze Quellen zu Null (Spannungsquelle → KS; Stromquelle → LL) → bestimme Matrix (hier: i = G · u) 2 ) Setze Steuergr¨oßen zu Null. → bestimme Quellenvektor (hier: i = I 0 ).
Serienschaltung
R1 Rges = R1 + R2
Kurzschluss/Leerlauf-Methode
R2
Jeweils eine steuernde Gr¨ oße auf Null setzen (Spannungsquelle → KS; Stromquelle → LL). G g11 = ui11 g12 = ui12 u2 =0 u1 =0 g21 = ui21 g22 = ui22 u2 =0 u1 =0 r12 = ui21 R r11 = ui11 i2 =0 i1 =0 r21 = ui12 r22 = ui22 i2 =0 i1 =0 H h11 = ui11 h12 = uu21 u2 =0 i1 =0 h21 = ii21 h22 = ui22 u2 =0 i1 =0 ′ H’ h11 = ui11 h′12 = ii21 i2 =0 u1 =0 u h′21 = uu12 h′22 = i22 u1 =0 i2 =0 A a11 = uu21 a12 = − ui21 i2 =0 u2 =0 a22 = − ii21 a21 = ui12 i2 =0 u2 =0 ′ A’ a11 = uu12 a′12 = −iu12 i1 =0 u1 =0 a′22 = −ii12 a′21 = ui21 i1 =0
u1 =0
Linearisierung im AP
Hybride Verschaltung
H1 Hges = H1 + H2
H2 Inverse hybride Verschaltung
H’1 H’ges = H’1 + H’2
H’2 Kettenschaltung
A1 A ges = A 1 · A 2 Inverse Kettenschaltung
Explizit
A’1
z.B. Leitwertsbeschreibung: ∆i = J · ∆u
Umrechnung der Zweitor-Matrizen Implizit → explizit
J(Jacobimatrix)
Implizit
|
∂f1 ∂u1 ∂f2 ∂u1
∂f1 ∂u2 ∂f2 ∂u2
{z M
A’2
A’ges = A’2 · A’1
(i = I + ∆i; u = U + ∆u) " ∂g1 ∂g1 # ∆u1 I1 i1 ∂u2 1 · = ∂u + ∂g ∂g 2 2 i2 ∆u2 I2 ∂u2 AP ∂u1 | {z } "
A2
#
·
AP
}
∆u1 + ∆u2
" |
∂f1 ∂i1 ∂f2 ∂i1
∂f1 ∂i2 ∂f2 ∂i2
{z
N
#
·
AP
}
∆i1 =0 ∆i2
Zusammenschaltung von Zweitoren Es muss immer darauf geachtet werden, dass die Torbedingungen eingehalten werden (außer bei Kettenschaltung)! Keine Garantie auf Vollst¨ andigkeit und Richtigkeit!
M
u =0 N · i
|M −1 ·
M
u =0 N · i
u + M−1 N · i = 0
N−1 M · u + i = 0
u = −M−1 N ·i | {z }
i = −N−1 M ·u | {z }
R
|N −1 ·
G
Explizit → implizit
u=R·i 1 ·u −R ·i = 0
i=G·u −G ·u + 1 ·i = 0
M
N
M
N
|{z}
|{z}
|{z}
|{z}
4
Schaltungstechnik 1
Erstelldatum: 29. April 2018
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Parametrisiert → explizit
Spezielle Zweitore
u U = ·c i I
USI
⇒
u U ·c = i I ·c
|I−1 ·
i= I·c
|U−1 ·
u=U·c
Spannungsgesteuerte Stromquelle (VCCS) i2 =g·u1
i 1 =0
⇒ U−1 · u = c
⇒ I−1 · i = c
u2
u1
−1
−1
⇒ i = |I · {z U } ·u
⇒ u = |U {z · I } ·i
G
R
A=
Explizit → parametrisiert
u=R·i
i=G·u
U = R;
I=1
U = 1;
0 −g1 0 0
I=G
0 g
0 0
M=
0 −g
0 1 0 N= 0 0 1
Stromgesteuerte Stromquelle (CCCS) i2 = β·i 1
i1
U = 1; I = −N−1 M
oder
G=
ISI
Implizit → parametrisiert
U = −M−1 N; I = 1
u2
u1 =0
A=
0 0 0 − β1
H=
0 β
0 0
Parametrisiert → implizit USU
M = −I · U−1 ; N = 1
oder
M = 1; N = −U · I−1
Spannungsgesteuerte Spannungsquelle (VCVS)
Explizit → explizit
i = G · u + I 0 |R·
u = R · i + U 0 |G·
R·i=R · G} ·u + R · I 0 | {z
G·u=G · R} ·i + G · U 0 | {z
1
u = R · i − R · I0
i2
i1 =0
u1
u2 =µ·u1
1
i = G · u − G · U0
A=
1 µ
0
0 0
H’ =
0 0 µ 0
ISU R H G det(H) h g −g r11 r12 12 22 12 1 1 R Stromgesteuerte Spannungsquelle (CCVS) h22 det(G) −g 1 r21 r22 21 −h21 g 11 g g 1 −h r −r 11 12 12 22 12 1 1 G det(R) h11 h g g 22 −r21 r11 i2 i1 21 det(H) 21 h11 h12 1 −g 12 det(R) r12 1 1 H r g11 g 21 22 det(G) h21 h22 −r21 1 u2 =r·i1 u1 =0 det(G) g 12 h22 −h12 1 −r12 1 1 1 H’ r g22 11 1 det(H) h11 −h21 −g 21 r21 det(R) −det(H) −h −g −1 r det(R) 11 22 11 1 1 A r121 −h22 −1 1 r22 g21 −det(G) −g 11 h21 1 0 0 0 0 0 0 M = N = A = R = 1 h −g −1 r det(R) 1 1 1 11 11 22 r 0 0 1 −r A’ r1 0 r h g 12 12 12 h22 det(H) −det(G) −g 22 1 r11 H’ A A’ ′ ′ 1 a22 1 −h12 a11 det(A) 1 1 1 R h′ ′ ′ ′ ′ a a22 21 11 det(A’) a11 h det(H ) a21 1 21 ′ ′ a22 −det(A) 1 det(H ) h′12 −1 a11 1 1 G h′ ′ ′ ′ ′ 1 a12 −1 a11 a12 −det(A ) a22 22 −h′21 ′ ′ −h a det(A) h 1 a12 12 22 12 1 1 1 H det(H ′ ′ ′) ′ ′ ′ a a 22 h −1 a 11 −det(A ) a −h 21 21 21 11 ′ ′ a −det(A) −1 a h11 h′12 21 21 1 1 H’ ′ ′ ′ ′ ′ a a 11 1 a12 22 det(A ) a12 h h 22 ′ 21 a11 a12 a22 a′12 1 h′22 1 1 A h′ ′ ′ ′ ′ ′ det(A ) a a det(H ) a21 a22 21 ′ 21 ′ 11 h11 ′ ′ a 11 a12 a22 a12 −det(H ) −h22 1 1 A’ h′ ′ ′ det(A) a −1 a11 12 a′21 a22 −h11 21
Keine Garantie auf Vollst¨ andigkeit und Richtigkeit!
0 0
Nullor
Quellenfrei, streng linear i1
u1
i2 u2
A=
0 0 0 0
M=
1 0 0 0 N= 0 0 1 0
Gyrator
Dualwandler, Positiv-Immittanz-Inverter (PII)
5
Schaltungstechnik 1
Verlustlos ( R1 = R2 = Rd ) G = −GT R = −RT det(A) = det(A ′ ) = −1 FGyr = F d
i2
i1
u1
u2 R1:R2
G=
1 R2
0
− R1 1
A’ =
−R2 0
− R11
−R1 0
R1 0
0 R2
R=
0
0
Erstelldatum: 29. April 2018
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0 N= −R2
A=
Emitterschaltung npn-Transistor
ucb
0
R1 0
1 R2
b ib ube e
e
Ebers-Moll-Modell (Basisschaltung, npn)
e
c αRi2
ie
Verlustlos Reziprok Umkehrbar f¨ ur ¨u = ±1 det(A) = det(A ′ ) = 1
i2 u2
A=
u ¨ 0
H’ =
0
A’ =
− u¨1 0
1 u ¨
1
0 u ¨
u ¨
0
H=
1 −¨ u M= 0 0
i1
u ¨ 0
0 −¨ u
ic
ucb i2 ib
1 u ¨
0
αFi1
ueb
ü:1
uce
b ib ube
uce
1 0 M= 0 1
Positiv-Immittanz-Konverter (PIK)
u1
ic c
ucb
¨ Idealer Ubertrager
i1
pnp-Transistor
ic c
ie = −Ies · (e
−
ic = αF Ies · (e
0 0 N= u ¨ 1
ueb UT
−
b u
− 1) + αR Ics · (e
ueb UT
− Ucb T
− 1)
u
− 1) − Ics · (e
− Ucb T
− 1)
NIK
Vereinfachung fur artsbetrieb (npn) ¨ Vorw¨
Negativ-Immittanz-Konverter (NIK)
Bedingung f¨ur den Vorw¨artsbetrieb: ube > 0 ∧ ucb ≥ 0
Aktiv, antireziprok, f¨ur |k| = 1 symmetrisch k=1 k = −1
F ist an der i1 -Achse gespiegelter Zweipol F ist an der u1 -Achse gespiegelter Zweipol
Basisschaltung e
-αF ie
ie
A=
H’ =
0
−k 0
1 k
− k1 0
0 − k1
A’ =
M=
0 k
− 1k 0
1 k 0 0
H=
N=
0 −k
−k 0
ueb
ucb
ie = −Ies · (e
0
0 1
c ic
ib
−
ueb UT
− 1)
ic = −αF ie
b
1 k
Bipolar-Transistoren Kennlinien eines npn-Transistors Eingangskennlinie
Emitterschaltung
Ausgangskennlinie
ib
≈IS
ic
b
βFib
β Fi b
ib
ube
ube
~0,6V
uce
~0,6V
ic
ube UT
− 1)
≈ β1 F
uce ie
z }| { ib = (1 − αF ) ·Ies ·(e | {z } c ic = βF ib
≈β F ·IS
e
z }| { ube ic = αF ·Ies ·(e UT − 1) |{z} ≈1
Basisschaltung npn-Transistor
e ueb
ie
uce
ib b
pnp-Transistor
ic
c
e
ucb
ueb
ie
uce
ib
ic
c ucb
Linearisierung (Emitterschaltung, Vorw¨artsbetrieb, npn)
b
Keine Garantie auf Vollst¨ andigkeit und Richtigkeit!
6
Schaltungstechnik 1
Großsignal-ESB: b
Kleinsignal-Ersatzschaltbilder (nMOS)
Kleinsignal-ESB:
Ib
Erstelldatum: 29. April 2018
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c b
Ic
Δib
c
Δic
Linearer Bereich g
d
g
Δig
id
βF Δib g Δie
β FI b
Δugs
e
Δuds
g0
ube0 Ie
ic ib
αF =
βF 1+β F
=
∂ib g = ∂u be
AP
Ib UT
=
e
∂id ∂ugs AP
gm =
αF 1−αF
βF =
g≈
gm Δugs
s
Wenn βF → ∞:
∂id g0 = ∂u ds
AP
b
c
= β · Uds = β · (Ugs − UT − Uds )
S¨ attigungsbereich
g
e ≈ − βFI·U T
d
Δig
Ic β F ·UT
id Δuds
Δugs
e
gm =
∂id ∂ugs AP
gm = β · (Ugs − UT ) s
Feldeffekt-Transistoren (FET) nMOS
Operationsversta ¨rker
Guter Pull-Down Source am niedrigeren Potential (uDS > 0) 0 β u − U − GS t iD = 2 β (uGS − Ut ) 2
gmΔugs
n
i=0
uDS
+
ud
uGS < Ut (aus) ∧ uDS ≥ 0 uDS 2
uout uSAT
n p
i=beliebig
Enhancement-Typ (selbssperrend): Ut ≈ 1V Depletion-Typ (selbstleitend): Ut ≈ −1V
II ud
-
uGS > Ut (linear) ∧ 0 < uDS < uGS − Ut uGS > Ut (S¨attigung) ∧ 0 < uGS − Ut < uDS
III
uout
I
-uSAT
Operationsverst¨arker m¨ ussen immer ¨uber ihren invertierenden Eingang r¨uckgekoppelt werden, da sich sonst eine Z-Kennlinie ergibt und der Arbeitspunkt somit nicht mehr eindeutig ist. Ersatzschaltbilder
Kanalla ¨ngenmodulation: i′D = iD · (1 + λ · uDS )
ESB I
+
i 1=0
i 2 =beliebig
pMOS Guter Pull-Up Source am h¨ oheren Potential (uDS < 0) 0 −β u − U − GS t iD = 2 −β (uGS − Ut ) 2
ud p
uGS > Ut (aus) uDS 2
uDS
-USAT
uout
p n
∧ uDS ≤ 0 uGS < Ut (linear) ∧ 0 > uDS > uGS − Ut uGS < Ut (S¨attigung) ∧ 0 > uGS − Ut > uDS
ud < 0 -
ESB II
+
Keine Garantie auf Vollst¨ andigkeit und Richtigkeit!
i 1=0
ud =0
i 2 =beliebig
uout ud = 0
Enhancement-Typ (selbstsperrend): Ut ≈ −1V Kanalla ¨ngenmodulation: i′D = iD · (1 − λ · uDS )
uout = −USAT
-
|uout | ≤ |USAT | 7
Schaltungstechnik 1
ESB III
+
Erstelldatum: 29. April 2018
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Integrierer i2 =beliebig
i 1 =0
R
C
-
ud
uout
USAT
ud
uin
ud > 0 -
uout
+
uout = USAT
OP-Schaltungen Spannungsfolger (Impedanzwandler) i
uout = −uc (t0 ) −
1 RC
·
+
Rt1
uin dt
t0
Differenzverst¨ arker/Subtrahierer
ud
R1
uin
Bedingung: R1 = R3 ; R2 = R4
R2
uout
-
uout = uin
ud
R3 u1
u out
+
vu = 1
uout = RR34 · (u2 − u1 )
R4
u2
uout = RR12 · (u2 − u1 )
Nichtinvertierender Verst¨ arker i
Logarithmierer
+
ud
-
R
R0
uin
uout
uout = (1...