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Fundamentos de Electrónica Parcial # Voltajes de Umbral de Materiales Semiconductores (𝑉𝛾): 𝑉𝛾 𝑑𝑒𝑙 𝑆𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜:0,7 𝑉 𝑉𝛾 𝑑𝑒𝑙 𝐺𝑒𝑟𝑚𝑎𝑛𝑖𝑜:0,3 𝑉 Ecuación de Shockley 𝐼𝐷= 𝐼𝑆(𝑒 𝑛𝑉𝑉𝐷𝑇 − 1) Donde: 𝐼𝑠 es la corriente de Saturación Inversa. 𝑉𝑇 es el voltaje térmico (𝑉𝑇= 26 𝑚𝑉) 𝑛 es en dato brindado por el fabricant...

Description

Fundamentos de Electrónica Parcial #1

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Voltajes de Umbral de Materiales Semiconductores (𝑉𝛾 ): 𝑉𝛾 𝑑𝑒𝑙 𝑆𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑜: 0,7 𝑉 𝑉𝛾 𝑑𝑒𝑙 𝐺𝑒𝑟𝑚𝑎𝑛𝑖𝑜: 0,3 𝑉

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Ecuación de Shockley 𝑉𝐷

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒𝑛𝑉𝑇 − 1) Donde: 𝐼𝑠 es la corriente de Saturación Inversa. 𝑉𝑇 es el voltaje térmico (𝑉𝑇 = 26 𝑚𝑉)

𝑛 es en dato brindado por el fabricante •

Voltaje del Diodo por Iteración 𝐼𝐷2 𝑉𝐷2 = 𝑉1 + 2,3𝑛𝑉𝑇 ⋅ log ( ) 𝐼𝐷1 Donde: 𝑉1 es igual a 𝑉𝛾 si es la primera iteración.

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Primera Aproximación Diodos Ideales (No hay caída de voltaje por ser ideal)

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Segunda Aproximación Voltaje de Umbral (No se considera la resistencia propia del diodo)

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Tercera Aproximación

𝑟𝑝𝑟𝑜𝑚 =

𝑉𝐷𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝛾 , 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝐼𝐷𝑚𝑖𝑛 = 0 𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐷𝑚𝑖𝑛 𝑉𝐷 = 𝑉𝛾 + 𝐼𝐷 ⋅ 𝑟𝑝𝑟𝑜𝑚

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Cálculos Utilizando la Curva Característica del Diodo

Donde: 𝑄 indica el punto de operación (Intersección entre la línea de carga y la curva característica)

𝑉𝐷𝑄 es el voltaje en el punto de operación

𝐼𝐷𝑄 es la corriente en el punto de operación

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Resistencia Estática 𝑅𝑒𝑠𝑡 =

𝑉𝐷𝑄 𝐼𝐷𝑄

Donde la resistencia estática es la resistencia equivalente de un diodo en análisis DC.

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Resistencia Dinámica 𝑟𝑑 =

26 𝑚𝑉 𝐼𝐷𝑄

Donde la resistencia dinámica es la resistencia equivalente de un diodo en análisis AC....